[NAND Flash 메모리: 동작특성]은 NAND Flash의 가장 기초가 되는 동작 및 동작으로서 나타나는 특성을 알아보는 책으로, NAND Flash를 처음 접하는 대학생들과 NAND Flash 메모리를 응용한 시스템을 다루는 기술자들에게 유용한 정보를 제공한다. 책은 NAND Flash의 기초이자 핵심 3대동작인 Program, Erasure, Read로 들어가기 전에, NAND Flash와 연결된 반도체 물리 현상에서부터, NAND의 Architecture 및 NAND의 성공여부를 결정하는 문턱전압(Threshold Voltage)이 형성하는 분포에 대한 중점사항들을 개념적 흐름으로 전개하였다. 특히, Vth 이용한 SLC에서부터 MLC와 TLC로의 제품 분화는 NAND Flash의 핵심부분으로 쉽게 설명하고 있다.

Chapter 01 에너지 양자화와 Fermi 확률함수
Chapter 02 Carrier의 생성과 Energy Level
 Chapter 03 NAND Flash의 기본 소자, MOSFET 특성
Chapter 04 NAND Flash의 Architecture
 Chapter 05 Threshold Voltage와 제품 다변화
Chapter 06 Program Electron Injection
 Chapter 07 Erasure, NAND의 고유특성
Chapter 08 Read, Cell 상태의 구분 및 출력
Chapter 09 NAND의 신뢰성과 불량 Mechanism
 Chapter 10 NAND Density 확장의 방향

Index
후기
Appendix